Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社
京都【プロセスインテグレーション】電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上 ■業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社として2019年12月に設立 ■電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー| 想定年収 | 500万円～1,000万円 |
|---|---|
| 予定勤務地 | 京都府京都市西京区 |
募集要項
仕事の内容
パワー半導体デバイス（SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等）のデバイス（チップ）のプロセスインテグレーション開発をお任せ致します。
【募集背景】これまでR＆Dとしての役割を担ってきた当社。資金調達および顧客開拓が順調に進み量産に向けて始動しております。量産の実現に向けたプロセス開発が喫緊の課題であり組織強化に向けた増員採用です。
必要な経験・能力等
【いずれも必須】
■半導体プロセス・デバイス経験者 ■ウエハーの前工程の経験
※パワー半導体の取り扱い経験がなくても可※
★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが頻繁に発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！
★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
配属先情報
大手半導体メーカー（TI/三菱電機/ON Semiconductor/日立/ルネサス/ローム等で）20～30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。
| 募集職種 | 京都【プロセスインテグレーション】電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上 |
|---|---|
| 学歴・資格 | 【学歴】大学院 大学 【語学力】 【資格】 |
| 雇用形態 | 正社員 【期間の定め】無 |
| 賃金形態 | 【形態】年俸制 【備考】年俸\5,000,000～ 基本給\416,666～を含む/月 【諸手当】通勤手当（会社規定に基づき支給） |
| 試用期間 | 有 【期間】3ヶ月 【備考】変更無 |
| 勤務地 | 勤務地① 【事業所名】本社 【所在地】京都府 京都市西京区 御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208・2103号室 （マイカー通勤可（駐車場8,800円/月）） 【最寄駅】 JR 東海道本線 桂川駅 、 阪急電鉄 阪急京都線 桂駅 【喫煙環境】敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり） 【備考】JR桂川駅/阪急桂駅から桂イノベーションパークまでバス有 【転勤】無 |
| 就業時間 | （所定労働時間8時間） 【休憩】60分 【残業】無 【備考】 |
| 休日・その他制度 | 【制度・設備】
【休日】120日 服装自由（全従業員利用可） ストックオプション（全従業員利用可） 従業員専用駐車場あり（全従業員利用可） （内訳） 完全週休二日制 土曜 日曜 祝日 その他（年休120日以上※暦によって数日変動あり） 【有給休暇】有（10日～） 【退職金】無 【社会保険】健康保険 厚生年金保険 雇用保険 労災保険 【寮・社宅】無 【その他制度】 |
| 選考内容 | 【面接回数】3回程度（目安） 【筆記試験】無 【採用人数】2名 |
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企業情報
事業内容
化合物パワー半導体デバイス設計業
| 設立 | 2019年12月 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 代表者 | 代表取締役 呉 文景 | ||||||
| 従業員数 | 12名 | ||||||
| 資本金 | 70百万円 | ||||||
| 株式公開 | 非公開 | ||||||
| 本社所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原１－３９京大桂ベンチャープラザ南館２２０３号室 | ||||||
| 本社以外の事業所 | 《国内》所沢サテライトオフィス／《海外》■ Taipei Anjet Corporation (HQ) ■Hsinchu R&D office ■Beijing Sales | ||||||
| 関連会社 | ■Taipei ANJET corporation (Headquarters) | ||||||
| その他備考・企業からのフリーコメント | 《当社について》高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化（量産化）していくための人員の強化を進めています。 また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。 | ||||||
| 決算情報 |
※決済単位：単体 |
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